Дисциплина посвящена изучению современного исследовательского аппарата электротехники (теоретического и экспериментального), ориентированного на анализ процессов в электромагнитных и электронных устройствах. Рассматриваются основы теории электрических и магнитных цепей (линейных и нелинейных) с сосредоточенными и распределенными параметрами, а также основы теории электромагнитного поля.
Дисциплина посвящена изучению современных
электрофизических методов обработки материалов. Описана физика процессов и
явлений при электронной, ионной, лазерной и других видах обработки. Рассмотрены
вопросы правильного выбора способа обработки. Даны методы расчета оптимальных
параметров технологических установок.
Дисциплина преследует цель изучение численных методов, используемых при моделировании физических процессов в электронных системах, а также при анализе и обработки экспериментальных данных. Рассматриваются основные методы численного интегрирования, дифференцирования, решения линейных и нелинейных уравнений и т.д. Приобретаются практические навыки использования компьютерных технологий для обработки результатов эксперимента, расчета и проектирования электрофизических установок.
В данном курсе изучаются электронные и ионные
процессы, протекающие в объеме и на поверхностях электродов разрядных систем и
характеристики различных типов электрических разрядов. Рассмотрены основные
понятия теории атомных столкновений, особенности движения заряженных частиц в
газовых и вакуумных промежутках, эмиссионные процессы на поверхности твердого
тела. Основное внимание уделено анализу условий, при которых становится возможным
пробой газовых и вакуумных промежутков и реализация различных типов
электрического разряда, таких как тлеющий, дуговой, искровой и высокочастотный.
Дисциплина посвящена изучению современных
представлений о воздействии корпускулярного и электромагнитного излучения на
вещество. Это касается фундаментальных вопросов передачи и аккумуляции энергии
ионизирующих излучений атомной и электронной подсистемами твердых тел, начиная
с попадания бомбардирующих частиц (квантов) в вещество и кончая вызываемым
облучением изменением физических свойств материалов.
В данном курсе изучаются силовые
полупроводниковые приборы их устройство, принцип действия и специфика
применения, а также вспомогательные элементы схем включения силовых приборов.
Рассматриваются механизмы проводимости полупроводников. Показывается
возможность создания на основе p-n перехода таких приборов, как выпрямительного
диода, SOS (semiconductor opening switch) диода, биполярного транзистора,
тиристора. Приводятся типичные области применения полупроводниковых силовых
приборов. Разъясняется специфика создания и применения силовых приборов на
основе p-n перехода. Объясняется суть эффекта поля и работа приборов на его
основе. Делается акцент на изучение мощных полевых транзисторов (КМОП),
сильноточных транзисторов со статической индукцией (БСИТ) и биполярных
транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ). Рассматриваются оптоэлектрические
приборы как силовые, так и используемые в качестве элементов схем управления.
Уделяется внимание схемам управления, контроля и защиты силовых приборов. Изучаются
особенность эффекта Холла в полупроводниках и возможность построения систем
контроля тока и защиты мощных полупроводниковых приборов на этом эффекте.
Рассматриваются термоэлектрические эффекты и эффект Пельтье с точки зрения
контроля и охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Особое внимание
уделяется использованию силовых полупроводниковых приборов в высоковольтной
импульсной технике и пассивных элементов схем силовой электроники.
Дисциплина посвящена обзору тенденций развития энергетики, средств и методов реализации идей сильноточной электроники. В рамках дисциплины затрагивается историческое развитие и актуальные проблемы электроники больших мощностей. Студентам предлагается знакомство на опыте с некоторыми физическими явлениями, которые используются в электронике больших мощностей.
Дисциплина посвящена изучению физики взаимодействия заряженных частиц с поверхностью твердого тела. Рассматриваются основные закономерности эмиссионной электроники, вторичные явления, приводящие к эмиссии ионов и нейтралов. Показывается, каким образом установленные закономерности используются в физике твердого тела и в современных технологиях.