В данном курсе изучаются силовые полупроводниковые приборы их устройство, принцип действия и специфика применения, а также вспомогательные элементы схем включения силовых приборов. Рассматриваются механизмы проводимости полупроводников. Показывается возможность создания на основе p-n перехода таких приборов, как выпрямительного диода, SOS (semiconductor opening switch) диода, биполярного транзистора, тиристора. Приводятся типичные области применения полупроводниковых силовых приборов. Разъясняется специфика создания и применения силовых приборов на основе p-n перехода. Объясняется суть эффекта поля и работа приборов на его основе. Делается акцент на изучение мощных полевых транзисторов (КМОП), сильноточных транзисторов со статической индукцией (БСИТ) и биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ). Рассматриваются оптоэлектрические приборы как силовые, так и используемые в качестве элементов схем управления. Уделяется внимание схемам управления, контроля и защиты силовых приборов. Изучаются особенность эффекта Холла в полупроводниках и возможность построения систем контроля тока и защиты мощных полупроводниковых приборов на этом эффекте. Рассматриваются термоэлектрические эффекты и эффект Пельтье с точки зрения контроля и охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется использованию силовых полупроводниковых приборов в высоковольтной импульсной технике и пассивных элементов схем силовой электроники.